IBM şirketi yaptığı açıklamada, bu yongalarla yapılacak "düşünen" bilgisayarların bugünün geleneksel bilgisayarlarıyla aynı şekilde programlanmayacağını belirterek, bu bilgisayarların deneyimlerinden öğreneceklerini, bağlantı kuracaklarını, kuramlar geliştireceklerini, anımsayacaklarını ve sonuçlardan ders çıkaracaklarını kaydetti.

Bu tip iki yonganın üretildiğini ve şu anda test edildiğini belirten şirket, her iki yonganın da silisyum yalıtkan üzerinde 45 nanometre kalınlığında olduğunu ve 254 nörona (sinir hücresi) eşdeğer kapasiteleri bulunduğuna işaret etti.

Uzun vadede hedeflerinin 10 milyar nöron kapasitesine (insan beyni 100 milyar kapasiteli) ulaşan bileşenlerden bir kompleks geliştirmek olduğunun altını çizen IBM, amaçlarının 2 litreden az bir alanda bir kilovat elektrik tüketen 1 katrilyon sinapsis (iki nöronun birleştiği yer) yaratmak olduğunu kaydetti.

Şirket, bu yongaları kullanan bilgisayarların daha az enerji tüketeceğini ve günümüz makinelerinden çok daha küçük olacağını belirterek, düşünen bir bilgisayarın, örneğin sıcaklık, basınç ve dalgaların yüksekliğiyle ilgili verileri derleyip, farklı tipteki deniz sensörlerinden sağlanan verileri analiz edip tsunami alarmı verebileceğini ya da koku alma hassasiyeti sayesinde toptancıları taze ürün stoklarını idare etmelerinde yardım edebileceğini bildirdi.

SyNAPSE adı verilen projenin ikinci aşamasında IBM, Columbia, Cornell, California ve Wisconsin gibi ABD'nin önde gelen üniversiteleriyle işbirliği yapacak. Projeye, ABD silahlı kuvvetlerinin yüksek teknoloji projelerini finanse eden DARPA adlı kuruluş 21 milyon dolar kaynak sağladı.

IBM'in bu başarısı konusunda Endpoit Technologies Associates'den Roger Kay, "Bu yeni bir ufuk, kimse böyle araştırmalar yapmamıştı" derken, New York Üniversitesinden nöroloji profesörü Anthony Movshon, IBM mühendislerinin yapmaya çalıştıklarının, beynin uyum sağlamak için yaptığı "plastisitenin" aynısını yongaya yerleştirmek olduğunun altını çizdi.

Teknoloji alanında uzun yıllardır elektronik cihazlar kapasitelerini her 1,5 yılda bir ikiye katlarken, transistörlerin yeni yongalar üzerindeki aşırı yoğunlaşması nedeniyle ortaya çıkan aşırı sıcaklığın kontrol altına alınmasındaki zorluk nedeniyle bu gelişim artık sonuna gelmiş gibi görünüyor.